5g future | В России создадут материалы для сверхбыстрой электроники
6813
post-template-default,single,single-post,postid-6813,single-format-standard,ajax_fade,page_not_loaded,,qode-title-hidden,qode_grid_1300,footer_responsive_adv,qode-content-sidebar-responsive,qode-theme-ver-10.1.1,wpb-js-composer js-comp-ver-4.12.1,vc_responsive

В России создадут материалы для сверхбыстрой электроники

Ученые Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) выиграли совместный грант Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ) и Государственного фонда естественных наук Китая. Он выделен на исследование многослойных магнитных структур для электроники нового типа (спин-орбитроники) — энергоэффективных и сверхбыстрых устройств обработки информации и искусственного интеллекта.

Как сообщил руководитель проекта, ведущий научный сотрудник лаборатории пленочных технологий Школы естественных наук ДВФУ Александр Самардак, такими исследованиями занимаются ученые во всем мире. Они направлены на создание энергоэффективных и сверхбыстрых запоминающих и логических устройств. Новые технологии позволят уменьшить размер ячейки памяти и увеличить скорость обработки информации.

«Спин-орбитроника — одно из самых перспективных направлений современной науки. Благодаря новейшим разработкам, для переключения намагниченности — бита данных — в ячейках памяти больше не нужны внешние магнитные поля, а достаточно использовать электрические импульсы. Ячейки памяти могут стать значительно меньше, при этом скорость их работы многократно увеличится по сравнению с имеющимися аналогами», — добавил Александр Самардак.

Российско-китайский грант позволит ученым ДВФУ провести испытания и получить новые данные в лаборатории для низкотемпературных исследований Института физики Китайской академии наук. Также запланированы совместные работы коллег из КНР в ДВФУ и двухсторонние научные семинары.

Отметим, что создание и изучение материалов для электроники нового типа является одним из прорывных направлений работы ученых Дальневосточного федерального университета. Например, сотрудникам лаборатории пленочных технологий первым в мире удалось получить ультратонкие материалы состава рутений-кобальт-рутений с толщиной всего в четыре атомных слоя. Также ученые создали работающую ячейку вихревой магниторезистивной памяти на основе магнитных нанодисков, которая может найти применение при создании компьютеров, оперирующих троичной логикой.

Подписка на рассылку

Один раз в неделю

всё самое интересное в вашей почте.